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Componentes de Circuito Electrónico GCMX010B120S1-E1 SOT-227 Transistores Originales

Sin reseñas
EUR2683
100-3,099 unidades
EUR1342
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

GCMX010B120S1-E1

Marca

Original

Descripción

Módulo MOSFET SIC de 1200V, 10M, SO

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

SOT-227

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
GCMX010B120S1-E1
Marca
Original
Descripción
Módulo MOSFET SIC de 1200V, 10M, SO
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
SOT-227
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
QSiC
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
204A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
14mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 40mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
418 nC @ 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
10864 pF @ 1000 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiC (Transistor de Unión de Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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