Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:PSRAM (Pseudo SRAM)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:100 megahercios
Organización de la memoria:32M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:40 segundos
Interfaz de Memoria:Autobús hipersónico
