Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:256M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
