Componentes de Circuitos Electrónicos MT29F4T08EULCEM4-R:C TR Memoria BOM IC En Stock
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Atributos
FLASH - NAND (TLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
512G por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 terabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado Chip
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND (TLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
512G por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 terabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,000 - 4,999 unidades
EUR 4522
>= 5,000 unidades
EUR 2261
Variantes
ElegirEspecificación
MT29F4T08EULCEM4 R:C TR
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