Componentes de Circuitos Electrónicos MT29F8T08EWLEEM5-R:E Memoria TR Original Servicio Integral
Sin reseñas
Atributos
FLASH - NAND (TLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
1T por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 TbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado IC
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND (TLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
1T por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 Tbit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado IC
-Tensión de alimentación
-
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1,500 - 4,499 unidades
EUR 9719
>= 4,500 unidades
EUR 4860
Variantes
ElegirEspecificación
MT29F8T08EWLEEM5 R:ETR
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