Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
18 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, DDR II
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:1M x 18
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:tiempo horario estándar
