Componentes de Circuitos Electrónicos, Memoria 144 TFBGA MT49H16M18CBM-25:B TR, Canal del Fabricante
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Atributos
DRAMLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
16M x 18Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
288 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Accesorios para Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj:400 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
DRAM
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
16M x 18
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
288 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Accesorios para Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj
400 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1,000 - 3,999 unidades
EUR 1017
>= 4,000 unidades
EUR 509
Variantes
ElegirEspecificación
MT49H16M18CBM 25:B TR
Envío
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