





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes de Circuitos Electrónicos
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:104 megahercios
Organización de la memoria:512M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:interfaz serie














