Componentes de Circuitos Electrónicos, Memoria 200 TFBGA MT53E512M32D2FW-046 AUT D Original, Servicio Integral
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Atributos
MT53E512M32D2FW-046 AUT:DNúmero de Modelo
Montaje superficialTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
MemoriaAplicación funcional
200 bolsas de FGBAEmpaque
Serie:Memoria
describir:IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA
Organización de Memoria:512M por 32
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:2,133 GHz
Tiempo de Acceso:3,5 nanos
Características clave
Número de Modelo
MT53E512M32D2FW-046 AUT:D
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Memoria
Empaque
200 bolsas de FGBA
Serie
Memoria
describir
IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA
Organización de Memoria
512M por 32
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
2,133 GHz
Tiempo de Acceso
3,5 nanos
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
1,360 - 4,359 unidades
EUR 787
>= 4,360 unidades
EUR 394
Variantes
ElegirCaracterísticas
MT53E512M32D2FW 046 AUT: D
Envío
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