Componentes de Circuitos Electrónicos, Memoria 200 VFBGA MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR En Stock
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5.0
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Atributos
SDRAM - LPDDR4 móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
768 millones x 32Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
24 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuitos Integrados Electrónicos
-Tensión de alimentación:1,1 V
Frecuencia de reloj:2,133 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR4 móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
768 millones x 32
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
1,1 V
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados Electrónicos
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Frecuencia de reloj
2,133 GHz
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
24 gigabits
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Interfaz de Memoria
-
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,000 - 4,999 unidades
EUR 1101
>= 5,000 unidades
EUR 551
Variantes
ElegirEspecificación
MT53E768M32D4DT 046 AAT:ETR
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