Componentes de Circuitos Electrónicos, Memoria 200 WFBGA MT53E256M32D2DS-046 WT:B Original
Sin reseñas
Atributos
SDRAM - LPDDR4 móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
256M por 32Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Componentes de Chips Electrónicos
-Tensión de alimentación:1,1 V
Frecuencia de reloj:2,133 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR4 móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
256M por 32
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes de Chips Electrónicos
-Tensión de alimentación
1,1 V
Frecuencia de reloj
2,133 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
-
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5574
>= 3,100 unidades
EUR 0.2787
Variantes
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MT53E256M32D2DS 046 Peso: B
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