Componentes de Circuito Electrónico, Memoria 54 VFBGA MT48H8M16LFB4-8:J, Canal del Fabricante
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Atributos
SDRAM - LPSDR móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
8M x 16Organización de la memoria
Montaje en superficieTipo de montaje
MT48H8M16LFB4-8:JNúmero de pieza del fabricante
OriginalMarca
Tamaño de la memoria:128Mbit
Lugar del origen:China
Descripción:IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
Tipo de embajaje:Bandeja
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
PAQUETE/cubierta:54-VFBGA
Serie:-
-Tensión de alimentación:1.7V ~ 1.9V
Frecuencia de reloj:125 MHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15ns
Interfaz de memoria:Paralelo
Formato de memoria:DRAM
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPSDR móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
8M x 16
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Número de pieza del fabricante
MT48H8M16LFB4-8:J
Marca
Original
Tamaño de la memoria
128Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
Tipo de embajaje
Bandeja
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
PAQUETE/cubierta
54-VFBGA
Serie
-
-Tensión de alimentación
1.7V ~ 1.9V
Frecuencia de reloj
125 MHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
DRAM
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1,000 - 3,999 unidades
EUR 241
>= 4,000 unidades
EUR 121
Variantes
ElegirCódigo de fecha de fabricación
NUEVO
Envío
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