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Componentes de Circuito Electrónico, Memoria 78 TFBGA MT41K128M8JP-15E:G, Distribuidor Autorizado

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100-3,099 unidades
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Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

MT41K128M8JP-15E:G

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

1Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
MT41K128M8JP-15E:G
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
1Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
Tipo de embajaje
A granel
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 95°C (TC)
PAQUETE/cubierta
78-TFBGA
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - DDR3
-Tensión de alimentación
1.283V ~ 1.45V
Frecuencia de reloj
667 MHz
Organización de la memoria
128M x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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