Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:108 megahercios
Organización de la memoria:2M por 4, 4M por 2, 8M por 1
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:100 µs, 3,6 ms
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
