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Componentes de Circuito Electrónico, Memoria 8 VDFN Exposed Pad MR25H10CDF, Servicio Integral Original

Sin reseñas
EUR 6.49
1-3,000 unidades
EUR 3.25
≥3,001 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

MR25H10CDF

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

1Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFN

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
MR25H10CDF
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
1Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFN
Tipo de embajaje
Bandeja
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
8-VDFN con almohadilla expuesta
Serie
-
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
MRAM (RAM magneto-resistiva)
-Tensión de alimentación
2.7V ~ 3.6V
Frecuencia de reloj
40 MHz
Organización de la memoria
128K x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de memoria
SPI
Formato de memoria
RAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

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