Componentes de Circuitos Electrónicos, Memoria 8 WDFN, Contacto Expuesto GD5F1GQ5UEY2GY, Circuito Integrado BOM en Existencia
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Atributos
Componente y PiezaTipo
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Componente ElectrónicoCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:256M x 4 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:600 micros
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruple, DTR
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
1 gigabit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
133 megahercios
Organización de la memoria
256M x 4 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
600 micros
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruple, DTR
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
4,800 - 7,799 unidades
EUR 1.49
>= 7,800 unidades
EUR 0.7418
Variantes
ElegirEspecificación
GD5F1GQ5UEY2GY
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