Componentes de Circuitos Electrónicos, Memoria 96 TFBGA AS4C512M16D3LA-10BCNTR Original
Sin reseñas
Atributos
SDRAM - DDR3LLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
512M x 16 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación:1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj:933 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SDRAM - DDR3L
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
512M x 16 millones
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación
1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj
933 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,000 - 4,999 unidades
EUR 854
>= 5,000 unidades
EUR 428
Variantes
ElegirEspecificación
AS4C512M16D3LA 10BCNTR
Envío
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