Componentes de Circuitos Electrónicos R1LV0808ASB-7SI # Distribuidor Autorizado de Memoria S0 44 TSOP
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuitos Integrados (IC)Características
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM
-Tensión de alimentación:2,4 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:1M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:70 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
A granel
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SRAM
-Tensión de alimentación
2,4 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
1M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
70 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
12 - 3,011 unidades
EUR 1120
>= 3,012 unidades
EUR 561
Variantes
ElegirEspecificación
R1LV0808ASB 7 sustitutos # S0
Envío
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