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Componentes de Circuito Electrónico SI7601DN-T1-E3 PowerPAK 1212-8 Transistores BOM IC En Stock

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SI7601DN-T1-E3

Marca

Original

Descripción

MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PowerPAK 1212-8

Temperatura de funcionamiento

-50°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SI7601DN-T1-E3
Marca
Original
Descripción
MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PowerPAK 1212-8
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
19.2mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1870 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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