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Componentes de Circuito Electrónico TPCC8105, Transistores Avanzados L1Q 8-TSON Originales

Sin reseñas
EUR 0.5861
100-3,099 unidades
EUR 0.2931
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

TPCC8105,L1Q

Marca

Original

Descripción

TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA PB-F TSO

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Temperatura de funcionamiento

150°C

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Características clave

Número de pieza del fabricante
TPCC8105,L1Q
Marca
Original
Descripción
TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA PB-F TSO
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Serie
U-MOSVI
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
23A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 500µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3240 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
+20V, -25V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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