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Componentes de circuitos electrónicos Transistores PG-HSOF-8-10 IPT022N10NF2SATMA1 BOM IC En stock

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IPT022N10NF2SATMA1

Marca

Original

Descripción

MOSFET

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-HSOF-8-10

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IPT022N10NF2SATMA1
Marca
Original
Descripción
MOSFET
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-HSOF-8-10
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
FuerteIRFET 2
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
29A (Ta), 236A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
2.25mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.8V @ 169µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
7300 pF @ 50 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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