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Componentes de Circuitos Electrónicos, Transistores PowerFlat STL4P3LLH6, Distribuidor Autorizado

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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

STL4P3LLH6

Marca

Original

Descripción

MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PowerFlat (2x2)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
STL4P3LLH6
Marca
Original
Descripción
MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PowerFlat (2x2)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
DeepGATE, STripFET H6
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
4A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
56mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
639 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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