SANNY TECH LIMITED
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Distribuidor de Componentes Electrónicos, Servicio de Cotización de BOM, DMN3190LDW-7 MOSFET 2N-CH 30V 1A TSSOP-6
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≥3,000 unidades
Cantidad
Características principales
Número de Modelo
DMN3190LDW-7
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal N
Embalaje
6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)
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Características clave
Número de Modelo
DMN3190LDW-7
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal N
Embalaje
6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)
tipo4
FET, Matrices de MOSFET
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)
Característica FET
Puerta de nivel lógico
Tensión drenador-fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25C
1A
Rds On (máx.) en Id, Vgs
190 mOhm a 1.3 A, 10 V
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg