Reguladores de voltaje de componentes electrónicos, transistor 2sa5200 2sa1943 de 2sa5200 de 2, 2, 1, 1, 2, 2, 1, 2, 2, 1
Puntuación de la tienda:
4.7
(606 reseñas)
Atributos
IGBT TransistorTipo
Transistor de potenciaUso
Montaje superficialTipo de paquete
A través del agujeroTipo de Montaje
GaNFET (de nitruro de galio)FET característica
SOLOConfiguración
Número de Modelo:power transistor
Marca:power transistor
Descripción:Transistor de potencia
Lugar del origen:Guangdong, China
PAQUETE/cubierta:Transistor de potencia
Temperatura de funcionamiento:2-100
Serie:Transistor de potencia
d/c:Transistor de potencia
Tipo de Proveedor:Fabricante original
Los medios disponibles:Hoja de Datos
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):3V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:Transistor de potencia
Corriente de colector de corte (Max):2-20
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:Transistor de potencia
Poder-Max:1-100
-Frecuencia de transición:2-29
Resistencia Base (R1):Transistor de potencia
Resistencia-emisor Base (R2):Transistor de potencia
Tensión de drenador a fuente (Vdss):Transistor de potencia
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:Transistor de potencia
Rds (Max) @ Id Vgs:Transistor de potencia
Vgs (th) (Max) @ Id:Transistor de potencia
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:Transistor de potencia
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):Transistor de potencia
Frecuencia:Transistor de potencia
Corriente nominal (en amperios):Transistor de potencia
Ruido:Transistor de potencia
Potencia de salida:Transistor de potencia
-Tensión nominal:Transistor de potencia
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):Transistor de potencia
Vgs (Max):Transistor de potencia
Tipo IGBT de:Transistor de potencia
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:Transistor de potencia
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:Transistor de potencia
De entrada:1-100
Termistor NTC:1-100
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):0-80
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):1-10
Corriente de drenaje (Id).:2-20
-Tensión de corte (VGS) @ Id:2-20
Resistencia-On (RDS):1-10
Tensión de salida-salida:3-20
-Tensión Offset (Vt):1-10
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):0-9
Corriente de Valle Iv):1-8
Corriente de pico:1-100
Tipo de Transistor:Transistor de potencia
Tipo de montaje:Transistor de potencia
Proteger característica:Sellado
Nombre del producto:Transistor de potencia
Manera del pago:TT Paypal del fideicomiso de la Unión Moneygram
Envío por:DHL \ UPS \ Fedex \ TNT \ EMS \ ARAMEX
Paquete:Caja de papel original, bolsa de plástico de An-ti
MOQ:100
Muestra:Disponible
TIEMPO DE PLOMO (Tiempo de entrega):5-7 días
Calidad:Alta calidad
Características clave
Tipo
IGBT Transistor
Uso
Transistor de potencia
Tipo de paquete
Montaje superficial
Tipo de Montaje
A través del agujero
FET característica
GaNFET (de nitruro de galio)
Configuración
SOLO
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Poder-Max
1-100
PAQUETE/cubierta
Transistor de potencia
Descripción
Transistor de potencia
Número de Modelo
power transistor
Marca
power transistor
Lugar del origen
Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento
2-100
Serie
Transistor de potencia
d/c
Transistor de potencia
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
3V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Transistor de potencia
Corriente de colector de corte (Max)
2-20
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Transistor de potencia
-Frecuencia de transición
2-29
Resistencia Base (R1)
Transistor de potencia
Resistencia-emisor Base (R2)
Transistor de potencia
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Transistor de potencia
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Transistor de potencia
Rds (Max) @ Id Vgs
Transistor de potencia
Vgs (th) (Max) @ Id
Transistor de potencia
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Transistor de potencia
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Transistor de potencia
Frecuencia
Transistor de potencia
Corriente nominal (en amperios)
Transistor de potencia
Ruido
Transistor de potencia
Potencia de salida
Transistor de potencia
-Tensión nominal
Transistor de potencia
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Transistor de potencia
Vgs (Max)
Transistor de potencia
Tipo IGBT de
Transistor de potencia
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Transistor de potencia
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Transistor de potencia
De entrada
1-100
Termistor NTC
1-100
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
0-80
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
1-10
Corriente de drenaje (Id).
2-20
-Tensión de corte (VGS) @ Id
2-20
Resistencia-On (RDS)
1-10
Tensión de salida-salida
3-20
-Tensión Offset (Vt)
1-10
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
0-9
Corriente de Valle Iv)
1-8
Corriente de pico
1-100
Tipo de Transistor
Transistor de potencia
Tipo de montaje
Transistor de potencia
Uso
Propósito general
Proteger característica
Sellado
Nombre del producto
Transistor de potencia
Manera del pago
TT Paypal del fideicomiso de la Unión Moneygram
Envío por
DHL \ UPS \ Fedex \ TNT \ EMS \ ARAMEX
Paquete
Caja de papel original, bolsa de plástico de An-ti
MOQ
100
Muestra
Disponible
TIEMPO DE PLOMO (Tiempo de entrega)
5-7 días
Calidad
Alta calidad
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
30X40X45 cm
Peso bruto
0.200 kg
Tiempo de entrega
Opciones de personalización
Customized logo (Pedido mínimo: 100 unidades)
Customized packaging (Pedido mínimo: 100 unidades)
Graphic customization (Pedido mínimo: 100 unidades)
Ver detalles
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Personalizable
Devolución fácil
Cantidad mínima de compra: 10 unidades
EUR 0.1131
Variantes
ElegirCaracterísticas
Transistor de potencia
Opciones de personalización
Customized logo (Pedido mínimo: 100 unidades)
Customized packaging (Pedido mínimo: 100 unidades)
Graphic customization (Pedido mínimo: 100 unidades)
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