(Componentes Electrónicos) AFGHL75T65SQ TO-247-3LD IGBT con Diodo Copack de SiC 650V/75A
Puntuación de la tienda:
4.6
(299 reseñas)
Atributos
transistorTipo
transistorUso
Agujero de labranzaTipo de paquete
A través del agujeroTipo de montaje
EstándarFET característica
estándarConfiguración
Los medios disponibles:Hoja de Datos
Tipo de Proveedor:Fabricante original
Poder-Max:estándar
PAQUETE/cubierta:estándar
Descripción:transistor
Número de pieza del fabricante:IRFB4110PBF
Marca:original
Lugar del origen:Guangdong, China
Serie:estándar
Referencia cruzada:estándar
Corriente de colector (Ic) (máx.):estándar
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.):estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:estándar
Corriente de colector de corte (Max):estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:estándar
-Frecuencia de transición:estándar
Resistencia Base (R1):estándar
Resistencia-emisor Base (R2):estándar
FET tipo:estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss):estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:estándar
Rds (Max) @ Id Vgs:estándar
Vgs (th) (Max) @ Id:estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):estándar
Frecuencia:estándar
Corriente nominal (en amperios):estándar
Ruido:estándar
Potencia de salida:estándar
-Tensión nominal:estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):estándar
Vgs (Max):estándar
Tipo IGBT de:estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:estándar
De entrada:estándar
Termistor NTC:estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):estándar
Corriente de drenaje (Id).:estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id:estándar
Resistencia-On (RDS):estándar
Tensión de salida-salida:estándar
-Tensión Offset (Vt):estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):estándar
Corriente de Valle Iv):estándar
Corriente de pico:estándar
Tipo de montaje:A través del agujero
corriente continua:Nuevo
Características clave
Tipo
transistor
Uso
transistor
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Tipo de montaje
A través del agujero
FET característica
Estándar
Configuración
estándar
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Poder-Max
estándar
PAQUETE/cubierta
estándar
Descripción
transistor
Número de pieza del fabricante
IRFB4110PBF
Marca
original
Lugar del origen
Guangdong, China
Serie
estándar
Referencia cruzada
estándar
Corriente de colector (Ic) (máx.)
estándar
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
estándar
Corriente de colector de corte (Max)
estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
estándar
-Frecuencia de transición
estándar
Resistencia Base (R1)
estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
estándar
FET tipo
estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
estándar
Rds (Max) @ Id Vgs
estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
estándar
Frecuencia
estándar
Corriente nominal (en amperios)
estándar
Ruido
estándar
Potencia de salida
estándar
-Tensión nominal
estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
estándar
Vgs (Max)
estándar
Tipo IGBT de
estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
estándar
De entrada
estándar
Termistor NTC
estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
estándar
Corriente de drenaje (Id).
estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
estándar
Resistencia-On (RDS)
estándar
Tensión de salida-salida
estándar
-Tensión Offset (Vt)
estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
estándar
Corriente de Valle Iv)
estándar
Corriente de pico
estándar
Tipo de montaje
A través del agujero
corriente continua
Nuevo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
14X8X2 cm
Peso bruto
0.030 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
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Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Cantidad mínima de compra: 1 unidad
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