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Servicio de Suministro de Circuitos Integrados de Componentes Electrónicos, MOSFET de Canal P, P-CH 20V 3.6A SI3443BDV-T1-E3 6-TSOP
Sin reseñas
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1-2,999 unidades
EUR 0.1167
≥3,000 unidades
Cantidad
Características principales
Número de Modelo
SI3443BDV-T1-E3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal P
Embalaje
6-TSOP, Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)
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Características clave
Número de Modelo
SI3443BDV-T1-E3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal P
Embalaje
6-TSOP, Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)
tipo4
FETs individuales, MOSFETs
Descripción
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Serie
TrenchFET
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Tensión drenador-fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25C
3.6A (Ta)
Tensión de accionamiento (Rds On máx., Rds On mín.)
2.5V, 4.5V
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg