Electronic Components Module Original Transistors MSCSM120HM083AG MOSFET 4N-CH 1200V 251A
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Atributos
MSCSM120HM083AGNúmero de Modelo
Montaje del chasisTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
ModulePackage / Case
Description:MOSFET 4N-CH 1200V 251A
Package:Tube
Technology:Silicon Carbide (SiC)
Configuration:4 N-Channel (Full Bridge)
Características clave
Número de Modelo
MSCSM120HM083AG
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
Module
Description
MOSFET 4N-CH 1200V 251A
Package
Tube
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
4 N-Channel (Full Bridge)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3099 unidades
EUR 29263
>= 3100 unidades
EUR 14632
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