Electronic Components Production Line S3M0016120B MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V Transistors TO-263-7 Original
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Atributos
S3M0016120BNúmero de Modelo
Montaje superficialTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
TO-263-7Package / Case
Description:MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Package:Tube
FET Type:N-Channel
Technology:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Características clave
Número de Modelo
S3M0016120B
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
TO-263-7
Description
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 1118
>= 3,100 unidades
EUR 560
Variantes
ElegirCaracterísticas
S3M0016120B
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