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Línea de Producción de Componentes Electrónicos SOT-23 SI3099-TP MOSFET de Canal N Nuevo Original
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EUR 0.2334
1-2,999 unidades
EUR 0.027
≥3,000 unidades
Cantidad
Características principales
Número de Modelo
SI3099-TP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal N
Embalaje
SOT-23, Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)
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Características clave
Número de Modelo
SI3099-TP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal N
Embalaje
SOT-23, Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)
tipo4
FETs individuales, MOSFETs
Descripción
MOSFET de canal N, SOT-23
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Tensión drenador-fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25C
1.1A
Tensión de accionamiento (Rds On máx., Rds On mín.)
2.5V, 10V
Rds On (máx.) @ Id, Vgs
408mOhm @ 500nA, 10V
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg





















