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Componente Electrónico 4-DFN AONV210A60 Transistores BOM IC En Stock

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

AONV210A60

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

4-DFN (8x8)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
AONV210A60
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
4-DFN (8x8)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
aMOS5
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
600 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
4.1A (Ta), 20A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
210 miliohmios a 7,6 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1935 pF @ 100 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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