Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:1M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:12 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
