Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
18 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)
-Tensión de alimentación:2,375 V ~ 2,625 V
Frecuencia de reloj:166 megahercios
Organización de la memoria:512 mil x 36
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
