Componente Electrónico 71V416S15BE 48 TFBGA Memoria en Existencia
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Atributos
SRAM - AsíncronoLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
256K por 16Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Kit de Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SRAM - Asíncrono
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
256K por 16
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Kit de Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación
3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
250 - 3,249 unidades
EUR 319
>= 3,250 unidades
EUR 160
Variantes
ElegirEspecificación
71V416S15BE
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