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Principales mercados: Estados Unidos de América, Suecia, Eslovaquia, Tailandia, Israel

Componente Electrónico 71V65703S75BQ 165 TBGA Memoria Distribuidor Autorizado

Sin reseñas
EUR920
14-3,013 unidades
EUR461
≥3,014 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

71V65703S75BQ

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

9Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC SRAM 9Mbit paralelo 165CABGA

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
71V65703S75BQ
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
9Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC SRAM 9Mbit paralelo 165CABGA
Tipo de embajaje
A granel
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
PAQUETE/cubierta
165-TBGA
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SRAM - Sincrónica, SDR (ZBT)
-Tensión de alimentación
3.135V ~ 3.465V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
256K x 36
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
SRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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