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Componente Electrónico 78 VFBGA W632GU8QB11I Memoria Original

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Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - DDR3L
-Tensión de alimentación:1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj:933 megahercios
Organización de la memoria:256M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
2 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - DDR3L
-Tensión de alimentación
1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj
933 megahercios
Organización de la memoria
256M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
242 - 3241 unidades
EUR 1.59
>= 3242 unidades
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