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Componente Electrónico 8-PQFN NTTFS004P02P8 Transistores Originales Servicio Integral

Sin reseñas
EUR 0.8189
100-3,099 unidades
EUR 0.414
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

NTTFS004P02P8

Marca

Original

Descripción

MOSFET de potencia, individual, canal P,

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PQFN (3.3x3.3)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NTTFS004P02P8
Marca
Original
Descripción
MOSFET de potencia, individual, canal P,
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-PQFN (3.3x3.3)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
PowerTrench
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
18A (Ta), 56A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
4mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
122 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
13200 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
A granel
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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