Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
512 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Doble Puerto, Asíncrono
-Tensión de alimentación:4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:64K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:12 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
