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Componente Electrónico AS4C16M32MD1-5BCN 90 VFBGA Memoria en Stock

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1-3,000 unidades
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≥3,001 unidades
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Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

AS4C16M32MD1-5BCN

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

512Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 512Mbit paralelo 90FBGA

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
AS4C16M32MD1-5BCN
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
512Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 512Mbit paralelo 90FBGA
Tipo de embajaje
Bandeja
Temperatura de funcionamiento
-25°C ~ 85°C (TJ)
PAQUETE/cubierta
90-VFBGA
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR móvil
-Tensión de alimentación
1.7V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
200 MHz
Organización de la memoria
16M x 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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