Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación:2,2 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:128K por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:45 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
