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Componente Electrónico DMN1008UFDFQ-13 U-DFN2020-6 Transistores BOM IC En Stock

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Características principales

Número de pieza del fabricante

DMN1008UFDFQ-13

Marca

Original

Descripción

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

U-DFN2020-6 (Tipo F)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
DMN1008UFDFQ-13
Marca
Original
Descripción
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
U-DFN2020-6 (Tipo F)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
12 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
12.2A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
23.4 nC @ 8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
995 pF @ 6 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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