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Componente Electrónico DMN3732UFB4Q-7B X2-DFN1006-3, Transistores, Canal del Fabricante

Sin reseñas
EUR 0.1687
100-3,099 unidades
EUR 0.0888
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

DMN3732UFB4Q-7B

Marca

Original

Descripción

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

X2-DFN1006-3

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
DMN3732UFB4Q-7B
Marca
Original
Descripción
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
X2-DFN1006-3
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
1.3A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
460mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
40.8 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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