Componente Electrónico EM6HF16EBXB-12SH Memoria Original
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Atributos
SDRAM - DDR3La tecnología
-Tipo de memoria
512M x 16 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado (IC)
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-
Características clave
La tecnología
SDRAM - DDR3
Tipo de memoria
-
Organización de la memoria
512M x 16 millones
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado (IC)
-Tensión de alimentación
-
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
-
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,000 unidades
EUR 1093
>= 3,001 unidades
EUR 547
Variantes
ElegirEspecificación
EM6HF16EBXB12SH
Envío
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