Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:128M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:600 micros
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruple, DTR
