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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Componente Electrónico GS-065-030-2-L-MR Transistores 8-PDFN en Stock

Sin reseñas
EUR730
100-3,099 unidades
EUR365
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

GS-065-030-2-L-MR

Marca

Original

Descripción

GS-065-030-2-L-MR

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PDFN (8x8)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

FET característica
-
PAQUETE/cubierta
8-PDFN (8x8)
Descripción
GS-065-030-2-L-MR
Número de pieza del fabricante
GS-065-030-2-L-MR
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.6V @ 7.5mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 6 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
235 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
6V
Vgs (Max)
+7V, -10V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
GaNFET (nitruro de galio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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