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Componente Electrónico GSFP1080 8-PPAK, Canal del Fabricante de Transistores

Sin reseñas
EUR 1.06
100-3,099 unidades
EUR 0.5342
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

GSFP1080

Marca

Original

Descripción

MOSFET, N-CH, SENCILLO, 80A, 100V,

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PPAK (4.9x5.75)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
GSFP1080
Marca
Original
Descripción
MOSFET, N-CH, SENCILLO, 80A, 100V,
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-PPAK (4.9x5.75)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
80A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
7mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3070 pF @ 50 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Cinta cortada (CT)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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