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Componente Electrónico H2PAK-7 SCTH100N65G2-7AG Transistores Originales Servicio Integral

Sin reseñas
EUR1752
100-3,099 unidades
EUR876
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SCTH100N65G2-7AG

Marca

Original

Descripción

SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

H2PAK-7

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SCTH100N65G2-7AG
Marca
Original
Descripción
SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
H2PAK-7
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
95A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
26mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
162 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3315 pF @ 520 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
18V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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