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Electronics Component HIP2100IR4ZT Original 12 VFDFN Exposed Pad Power Management (PMIC)

Sin reseñas
EUR 1.41
112-3,111 unidades
EUR 0.7008
≥3,112 unidades
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Características

HIP2100IR4ZT

Características principales

Número de Modelo

HIP2100IR4ZT

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Gate Drivers

Packaging

12 VFDFN Exposed Pad

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Características clave

Número de Modelo
HIP2100IR4ZT
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Gate Drivers
Packaging
12 VFDFN Exposed Pad
Series
Power Management (PMIC)
Describe
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Channel Type
Independent
Number of Drivers
2
Gate Type
N Channel MOSFET
Logic Voltage VIL, VIH
4V, 7V
Current Peak Output (Source, Sink)
2A, 2A
Input Type
Non Inverting
High Side Voltage Max (Bootstrap)
114 V

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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