Componente Electrónico IDT71V3557SA85BQGI8 165 TBGA Memoria Distribuidor Autorizado
Puntuación de la tienda:
4.5
(2 reseñas)
Atributos
SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
128K por 36Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4,5 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Kit de Circuitos Integrados
-Tensión de alimentación:3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SRAM - Sincrónico, SDR (ZBT)
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
128K por 36
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
3,135 V ~ 3,465 V
Aplicación
Memoria
Características
Kit de Circuitos Integrados
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Frecuencia de reloj
-
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
4,5 Mbits
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.4753
>= 3,100 unidades
EUR 0.2377
Variantes
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IDT71V3557SA85BQG8
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