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Electronics Component IPB80N06S209ATMA2 PG-TO263-3-2 Transistors In Stock

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Atributos

IPB80N06S209ATMA2Número de Modelo
Montaje superficialTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
PG-TO263-3-2Package / Case
Description:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Package:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type:N-Channel
Technology:MOSFET (Metal Oxide)

Características clave

Número de Modelo
IPB80N06S209ATMA2
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
PG-TO263-3-2
Description
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Devolución fácil
100 - 3,099 unidades
EUR 211
>= 3,100 unidades
EUR 106

Variantes

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Características

IPB80N06S209ATMA2

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