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Componente Electrónico MCAC30N04HE3-TP DFN5060 Transistores Originales Servicio Integral

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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

MCAC30N04HE3-TP

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 40 30A DFN5060

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

DFN5060

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
MCAC30N04HE3-TP
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 40 30A DFN5060
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
DFN5060
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
16mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
967 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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